При создании 128-слойной памяти 3D NAND Micron будет использовать технологию замещающего затвора

На прошедшей неделе компания Intel выступила с рассказом о своих планах по развитию памяти типа 3D NAND, из которых стало ясно, что этот производитель делает ставку на технологию плавающего затвора, с помощью которой планирует в следующем году освоить выпуск 144-слойной памяти типа QLC. Принято считать, что ещё недавно выступавшая в роли партнёра Intel компания Micron отдаёт предпочтение технологии изготовления ячеек памяти с ловушкой заряда, но опубликованный на днях квартальный отчёт Micron Technology позволил убедиться, что это не совсем так.

По крайней мере, руководство Micron сочло нужным заявить, что уже получены образцы памяти типа 3D NAND с замещающим затвором, и в следующем году эта технология будет использоваться для производства 128-слойной памяти. Правда, объёмы выпуска не будут большими, а потому 96-слойная память на протяжении всего 2020 года останется главной «рабочей лошадкой», как выразился генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Внедрение технологии замещающего затвора будет реализовано в ограниченном наборе продуктов, а в серию пойдёт уже второе поколение этой технологии, которое Micron рассчитывает освоить только в 2021 календарном году. Если учесть, что Intel будет выпускать 144-слойную память с плавающим затвором, сомневаться в разделении стратегии бывших партнёров уже не приходится. Переход на замещающий затвор в масштабах серийного производства позволит Micron существенно снизить себестоимость памяти типа 3D NAND, как ожидает руководство компании.