В Китае появится свой фоточувствительный материал для 7-нм техпроцесса

Китай продолжает двигаться по пути снижения зависимости от импортного сырья и комплектующих в области производства полупроводников. Новым шагом на этом пути стала разработка отечественного фоторезиста ― материала, без которого невозможно перенести рисунок электронной схемы на кремниевый кристалл. Новый материал настолько хорош, что может быть использован для техпроцесса с нормами 7 нм.

О завершении НИОКР по созданию высокочувствительного фоторезиста сообщила компания Nata Opto из Цзянсу. Созданный в лабораториях компании новый фоточувствительный материал поможет в переходе на отечественные материалы в случае производства с технологическими нормами от 28 до 7 нм. До этого в Китае выпускался фоторезист, который годился только для выпуска чипов с нормами 436 и 365 нм.

Для более совершенных техпроцессов китайские производители, например, компании SMIC и YMTC, покупают фоторезист у японских и американских компаний. Пяти производителям из США и Японии принадлежит 85 % мирового рынка фоторезиста, а материал для EUV-литографии выпускается исключительно японцами, отчего пострадали даже южнокорейские производители.

Впрочем, для китайских компаний фоторезист для EUV-литографии понадобится очень нескоро. Во всяком случае, в товарных количествах. Зато фоторезист для выпуска чипов в диапазоне от 28 до 7 нм может заменить импортный, хотя произойдёт это примерно через три года. В настоящий момент разработчик начинает поставки фоторезиста клиентам для испытаний. Если всё будет хорошо, то через три года Nata Opto собирается выпускать в год до 25 тонн фоторезиста для 193-нм эксимерных лазеров ArF как для сухой проекции, так и для иммерсионной с погружением пластин в жидкость.